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J-GLOBAL ID：200903040271656723
半導体レーザの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992039331
Publication number (International publication number)：1993235482
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 特性が良好な半導体レーザを作製でき、しかも製造工程の簡略化をはかることのできる方法を提供する。【構成】 活性層のストライプ構造を、MBE装置等の真空チャンバ内での高速イオンビーム照射によるエッチングによって形成する。これにより、デバイスの製造工程を一貫して真空下で行うことが可能となる結果、所期の目的を達成できる。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板上に、第1のクラッド層,光ガイド層および活性層を、真空雰囲気中で順次一様に成膜し、次いで、その活性層の一部を除去することによって、この活性層をストライプ構造に加工した後に、その加工後の活性層および上記光ガイド層を覆う第2のクラッド層を成膜することにより半導体レーザを得る方法において、上記活性層の成膜が完了した後に、この成膜と同じ真空雰囲気中に上記基板を置いた状態で、その基板上にマスクパターンを配置して、上記成膜後の活性層のストライプ構造とすべき部分のみを覆い、この状態で、上記基板表面に高速イオンビームを照射して上記活性層をエッチングすることによって、上記のストライプ構造を形成し、この後に、上記第2のクラッド層の成膜を行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2)：
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