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J-GLOBAL ID：200903040272321920

クライオスタット

Inventor： 根本 武夫 ,  佐保 典英 ,  滝沢 照広
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994257864
Publication number (International publication number)：1996125241
Application date： Oct. 24, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】真空リークによって生じる超電導磁石のクエンチを防止すること。【構成】真空容器4内に真空圧力センサ14を液体ヘリウム容器3と連通した配管9に圧力計17を設置し、それぞれのセンサの信号から真空リークを検知して、液体ヘリウム容器3内の超電導コイル1の電流を0まで下げる電気回路を組み合わせた。また、真空リークを検知したとき、真空容器4内のガスを排気する真空ポンプ26を組み合わせたクライオスタット。

Claim (excerpt)：

超電導コイルと寒剤を収納する低温容器、前記低温容器を包み込んだ真空容器、前記低温容器と大気と連通した管に弁を設けたクライオスタットにおいて、前記低温容器と前記真空容器で形成された真空空間に真空圧力センサを取り付け、前記低温容器と連通した管に圧力計を設けたことを特徴とするクライオスタット。

IPC (2)：

H01L 39/04 ZAA ,  H01F 6/00 ZAA