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J-GLOBAL ID：200903040281225780

半導体装置

Inventor： 太田 順道 ,  正戸 宏幸 ,  熊渕 康仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997086394
Publication number (International publication number)：1998284507
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 受信アンプ部の低雑音特性の温度劣化を最小限に抑えつつ、送信アンプ部の飛躍的な高出力化を可能にする半導体装置を提供する。【解決手段】 SiC基板10上にAl(x)In(y)Ga(1-x-y)N(0≦x,y≦1)エピタキシャル膜11が形成されている。 高出力アンプ部15は、SiC基板10内に形成され、低雑音アンプ部16は、エピタキシャル膜11内に形成されている。SiC基板に高出力アンプ部を形成することによって高出力化を実現し、同時にSiC上にエピタキシャル成長可能なGaN系材料の高い電子移動度を活かした低雑音アンプ部を一体形成することによって、超高出力型の送受信一体MMICを実現している。

Claim (excerpt)：

SiC基板と、前記SiC基板上に形成されたAl(x)In(y)Ga(1-x-y)N(0≦x,y≦1)からなるエピタキシャル膜と、前記SiC基板に形成されたパワーアンプ部と、前記エピタキシャル膜に形成された低雑音アンプ部とを有し、前記パワーアンプ部と、前記低雑音アンプ部とが同一基板上に形成されている半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 29/80 B ,  H01L 23/12 301 C ,  H01L 27/04 A