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J-GLOBAL ID：200903040303093610

処理装置

Inventor： 小美野 光明 ,  風間 晃一
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993345323
Publication number (International publication number)：1995183277
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 耐プラズマ特性、均熱性に優れた載置台を備えた低温処理用処理装置を提供する。【構成】 本発明によれば、Al2O3、AlN、SiC、BeO、c-BN、h-BNまたはSi3N4のいずれかのセラミックス絶縁体から成る載置部7の上部に導電体9を内設することにより静電チャック16として機能せしめ、その下部に発熱抵抗体13を内設することにより温調用ヒータとして機能せしめるので、上記絶縁体を静電チャックの絶縁層およびヒータの絶縁および放熱板として作用させ、ハイブリット型の耐プラズマ特性、熱伝達特性、均熱性に優れた低温処理用処理装置を提供することが可能である。

Claim (excerpt)：

載置面に被処理体を静電チャック手段により吸着保持可能であるとともに高周波電力を印加することが可能な載置台を処理室内に備えた処理装置において、前記静電チャック手段をAl2O3、AlN、SiC、BeO、c-BN、h-BNまたはSi3N4のいずれかのセラミックス絶縁体に導電体を内設することにより構成したことを特徴とする、処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/68