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J-GLOBAL ID：200903040322886451

強誘電体薄膜微細パターン形成剤及び強誘電体薄膜微細パターン形成方法

Inventor： 神澤 公
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 金山 敏彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991299287
Publication number (International publication number)：1993132561
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】強誘電体薄膜のレジストレス微細加工を可能とする強誘電体薄膜微細パターン形成方法及び形成剤を提供する。【構成】化1に示されるようなポリマーと化2に示されるようなジスアジド化合物を混合した形成剤を使用し、ここに電磁波などを照射し架橋反応を起こさせて、所定のパタホンに沿って該形成剤の硬化を行った後、光照射が行われなかった部分を除去し、硬化した部分を熱処理することによって有機部分を除去すると共に結晶化を行い、強誘電体薄膜微細パターンの形成を行う。【化1】Mは金属原子(Pb,Zr,Ti,La,【化2】

Claim (excerpt)：

化1に示されるポリマーを含むコロイド溶液に、電磁波あるいは粒子線に感応して前記ポリマー間に架橋を形成させる感応性化合物が添加されて作成される強誘電体薄膜微細パターン形成剤。【化1】

IPC (4)：

C08G 79/00 NUR ,  G03F 7/008 ,  G03F 7/038 501 ,  H01B 3/00