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J-GLOBAL ID:200903040323094095
半導体露光装置およびこの装置を用いた半導体露光方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996046875
Publication number (International publication number):1997219359
Application date: Feb. 09, 1996
Publication date: Aug. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 半導体露光時のマスクとウェハの位置合わせ精度および転写精度を向上し、生産性を向上させる。【解決手段】 吸収体パターンをマスクメンブレン上に有するマスクと半導体ウェハとの間隔を測定する測定手段と、前記マスクとウェハの間隔を調整する調整手段と、一つのウェハの複数の部分にステップ移動するための駆動手段が設けられ、前記マスクパターンを微少間隔で露光するための半導体露光装置において、前記測定手段の情報に基づき、前記マスクとウェハの間隔を前記調整手段によって調整しながらステップ移動をすることを特徴とする半導体露光方法。
Claim (excerpt):
吸収体パターンをマスクメンブレン上に有するマスクと半導体ウェハとの間隔を測定する測定手段と、前記マスクとウェハの間隔を調整する調整手段と、一つのウェハの複数の部分にステップ移動するための駆動手段が設けられ、前記マスクパターンを微少間隔で露光するための半導体露光装置において、前記測定手段の情報に基づき、前記マスクとウェハの間隔を前記調整手段によって調整しながらステップ移動をすることを特徴とする半導体露光方法。
IPC (3):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G21K 5/02
FI (5):
H01L 21/30 531 A
, G03F 7/20 521
, G21K 5/02 X
, H01L 21/30 531 J
, H01L 21/30 531 M
Patent cited by the Patent:
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