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J-GLOBAL ID：200903040326228033

ガス伝熱プラズマ処理装置

Inventor： 鈴木 正樹 ,  福井 祥二 ,  筒井 裕二 ,  山本 重之 ,  田中 靖夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124815
Publication number (International publication number)：1996316215
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ処理が均一で安定し、冷却ガス量が少なくコントロールが容易で、電極の製作を容易にする。【構成】 真空容器1と、真空排気ポンプ2と、反応ガス供給口4と、上部電極3及び下部電極7と、下部電極7に被処理基板6を押し付けるクランプリング17と、下部電極7へ高周波電力を供給する高周波電源11と、被処理基板6裏面と下部電極7との間に伝熱ガスを充満させる伝熱ガス供給手段13とを有するプラズマ処理装置において、下部電極7の基板載置面15を所定の等分布圧力を受ける基板のたわみ曲面形状とし、ガス圧力をほぼその所定圧力又はそれ以下とした。

Claim (excerpt)：

真空容器と、真空排気手段と、反応ガス供給手段と、少なくとも一対の電極と、一方の電極に被処理基板を押し付ける基板クランプ手段と、少なくとも一方の電極への高周波電力供給手段と、被処理基板裏面と電極との間に伝熱ガスを充満させる伝熱ガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、電極の被処理基板載置面を所定の等分布圧力を受ける被処理基板のたわみ曲面形状とし、伝熱ガス圧力をほぼその所定圧力又はそれ以下としたことを特徴とするガス伝熱プラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/24 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (7)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/24 K ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-061325
  
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-085977   Applicant：株式会社日立製作所
• 減圧処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086341   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 特開平1-227438