Pat

J-GLOBAL ID：200903040328991133

結晶製造装置および結晶製造方法

Inventor： 道口 健太郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002169916
Publication number (International publication number)：2004010461
Application date： Jun. 11, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【課題】単結晶育成に使用する結晶製造装置において、結晶欠陥の導入を抑制しつつ良好に単結晶を育成可能な結晶製造装置およびそれを用いた結晶製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】坩堝を略囲んで配置される加熱手段と、該加熱手段を略囲んで配置される熱反射手段とを備え、坩堝内で原料を溶融し凝固させる結晶製造装置において、該加熱手段と該熱反射手段間の距離を調整可能とし、また該熱反射手段の熱伝導度を調整可能とすることで結晶を育成する坩堝内の温度勾配を調整する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

坩堝を略囲んで配置される加熱手段と、該加熱手段を略囲んで配置される熱反射手段とを備え、坩堝内で原料を溶融し凝固させる結晶製造装置において、 該加熱手段と該熱反射手段間の距離を調整可能としたことを特徴とする結晶製造装置。

IPC (3)：

C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  H05B3/00

FI (3)：

C30B11/00 Z ,  C30B29/12 ,  H05B3/00 345

F-Term (12)：

3K058AA86 ,  3K058EA05 ,  3K058EA06 ,  3K058GA05 ,  4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077HA01 ,  4G077MB04 ,  4G077MB24