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J-GLOBAL ID：200903040351596330

セラミックス薄膜の製造方法

Inventor： 青山 拓 ,  久野 忠昭 ,  宮下 悟
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997097767
Publication number (International publication number)：1998291887
Application date： Apr. 15, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ポストアニール方式により得られるセラミックス薄膜は、非晶質膜から結晶膜への移行過程で結晶核が膜中のいたるところ発生するため、ランダム配向の多結晶膜となってしまい、該セラミックス薄膜の物性が低下してしまうことが課題であった。【解決手段】 基板上の非晶質膜を結晶化させる際、基板側から結晶化温度に達する焼成方法とする。

Claim (excerpt)：

(1)基板上に非晶質状の前駆体膜を形成する工程と、(2)これを加熱焼成し、結晶化させる工程とからなるセラミックス薄膜の製造方法において、前記(2)工程の加熱時に、前記非晶質状前駆体膜の基板に接する面の温度が、膜表面の温度よりも高いことを特徴とするセラミックス薄膜の製造方法。

IPC (5)：

C30B 1/02 ,  C30B 29/32 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (6)：

C30B 1/02 ,  C30B 29/32 A ,  C30B 29/32 D ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 強誘電体結晶薄膜の製造方法及び強誘電体キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098486   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-149090
  
• 圧電体薄膜素子及びその製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット記録ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-250863   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 複合酸化物薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-125654   Applicant：ローム株式会社
• 特開平4-295013
  
• 特開平4-051407
  
• 特開平2-149402
  
• インクジェットプリントヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-094017   Applicant：セイコーエプソン株式会社