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J-GLOBAL ID：200903040352136228
誘電体を用いた素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243792
Publication number (International publication number)：1993234419
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、優れた強誘電体単結晶薄膜を有する強誘電体素子を提供することを目的とする。【構成】ペロブスカイト型結晶構造を有するSrTiO3 単結晶基体11を用いて、これと格子整合するPZT単結晶薄膜12をエピタキシャル成長させて、所望の強誘電体素子を構成する。
Claim (excerpt)：
不純物を含む誘電体からなる第1の電極と、この第1の電極の表面に設けられた誘電体膜と、この誘電体膜の表面に設けられた第2の電極とを具備してなることを特徴とする誘電体を用いた素子。
IPC (4)：
H01B 3/00
, C30B 29/22 501
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04
Cited by examiner (10)
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