フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004278933
Publication number (International publication number)：2005128509
Application date： Sep. 27, 2004
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【解決手段】フルオレン又はテトラヒドロスピロビインデン構造を有するノボラック樹脂を添加してなることを特徴とする下層膜形成材料。【効果】本発明の下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるCF4/CHF3ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングの速度も通常のm-クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有する。また、パターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

フルオレン又はテトラヒドロスピロビインデン構造を有するノボラック樹脂を添加してなることを特徴とする下層膜形成材料。

IPC (3)：

G03F7/11 , C08G10/00 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/11 503 , C08G10/00 , H01L21/30 573

F-Term (20)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 2H025DA40 , 2H025FA41 , 4J033CA02 , 4J033CA11 , 4J033CA12 , 4J033CA22 , 4J033CA24 , 4J033CA29 , 4J033HA12 , 4J033HB10 , 5F046NA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

米国特許第3536734号明細書
米国特許第6420088号明細書
高耐熱性放射線感応性レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-174578 Applicant：クラリアントジャパン株式会社

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Cited by examiner (6)

ポジ型レジスト積層物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-331568 Applicant：富士写真フイルム株式会社
高耐熱性放射線感応性レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-174578 Applicant：クラリアントジャパン株式会社
ハレーション止め組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-328816 Applicant：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド

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