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J-GLOBAL ID：200903040375907434

MOSトランジスタとその製造方法

Inventor： 小渕 雅宏
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258373
Publication number (International publication number)：1994112482
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電流分布を均一化するというワッフル型のパターンレイアウトの特徴を生かして、パターン面積の小さい入力保護用のMOSトランジスタを提供する。【構成】 ポリシリコン層等からなる複数のバーを横方向と縦方向に等間隔で且つ平行に配設し、横方向のバーと縦方向のバーとが交叉した格子状のゲート(G)を有し、ゲート(G)で囲まれた複数の拡散層がすべてドレイン(D1)〜(D10)になっており、ゲート(G)は、埋め込みコンタクト(BC)によって、その下方に形成されたソース(S)と直接接続される。

Claim (excerpt)：

ポリシリコン層等からなる複数のバーを横方向と縦方向に、等間隔で且つ平行に配設し、横方向のバーと縦方向のバーとが交叉してなる格子状のゲートと、前記ゲートで囲まれた複数の拡散層を接続してなるドレインとを有するMOSトランジスタであって、前記ゲートは、埋め込みコンタクトによってその下方に形成されたソースと直接接続されていることを特徴とするMOSトランジスタ。