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J-GLOBAL ID：200903040384585083

半導体装置の製造方法

Inventor： 山中 英雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994232111
Publication number (International publication number)：1996078561
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基台の反りを低減できしかも動作信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 本発明は、先ず上金型1と下金型2との間でリードフレーム3のアウターリード部分31を挟持し、キャビティ4内に溶融した熱可塑性樹脂を射出注入して硬化させ、略中央に凹部51を備えた基台5およびその凹部の開口部分より外側を囲み基台5との間でインナーリード部分32を挟持する状態となるフレーム部6を成形する。次に基台5の凹部51内に半導体素子を実装し、半導体素子とインナーリード部分32とを電気的に接続した後、少なくとも凹部51内に透光性樹脂を埋め込んで半導体素子を封止する半導体装置の製造方法である。

Claim (excerpt)：

上金型と下金型との間でリードフレームのアウターリード部分を挟持し、該上金型と下金型との間に設けられるキャビティ内に溶融した熱可塑性樹脂を射出注入して硬化させ、略中央に凹部を備えた基台および該凹部の開口部分より外側を囲み該基台との間で該リードフレームのインナーリード部分を挟持する状態となるフレーム部を成形する工程と、前記基台の凹部内に半導体素子を実装し、該半導体素子と前記リードフレームのインナーリード部分とを電気的および機械的に接続する工程と、少なくとも前記基台の凹部内に透光性の樹脂を埋め込み前記半導体素子を封止する工程とから成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50 ,  H01L 27/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-083337
  
• 特開平3-060137
  
• 特開平4-091474
  
• 特開昭61-220358