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J-GLOBAL ID：200903040395200345

半導体装置用洗浄液及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 宮本 光雄 ,  石田 彰一 ,  坂本 等 ,  亘 徹 ,  後藤 日出人 ,  溝渕 孝一
Applicant, Patent owner： 森田化学工業株式会社 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 藤田 邦彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996342580
Publication number (International publication number)：1998172942
Application date： Dec. 05, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】シリコン基板1上に形成したBPSG層2をレジストマスク層3によってドライエッチングで所定パターンに加工してBPSG層2にコンタクトホール2aを形成する。前記ドライエッチング後にレジストマスク層3を除去した状態で前記ドライエッチングによる加工領域を、15〜40重量%のフッ化アンモニウムと0.04〜0.3 重量%のフッ化水素酸を含有するバッファードフッ酸に、200ppm以下の界面活性剤と7重量%以下の過酸化水素水とを加えた洗浄液によって処理する。【効果】上記洗浄液を使用することにより、上記シリコン基板上に形成されたコンタクトホールやバイアホールのようなホールの拡張を防止して、設定通りのサイズに形成しつつ、堆積ポリマーや自然酸化膜及びダメージ層を十二分に除去出来る。コンタクト抵抗の減少、配線間の短絡防止、配線の被着性、設備の汚染防止等を実現する事が出来る。

Claim (excerpt)：

15重量%〜40重量%のフッ化アンモニウムと0.04重量%〜0.3重量%のフッ化水素酸からなるバッファードフッ酸に、200ppm以下の界面活性剤と7重量%以下の過酸化水素水とを含有することを特徴とする半導体装置用洗浄液。

IPC (7)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/39 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/18 ,  H01L 21/308

FI (7)：

H01L 21/304 341 L ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/39 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/18 ,  H01L 21/308 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-018994   Applicant：森田化学工業株式会社
• 液中異物付着防止溶液とそれを用いたエッチング方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-001908   Applicant：株式会社日立製作所