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J-GLOBAL ID：200903040395266702

MOSFET素子

Inventor： アレクサンダー・リドウ ,  トーマス・ハーマン ,  ウラジミール・ルメニック
Applicant, Patent owner： インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレイション
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994246144
Publication number (International publication number)：1995169950
Application date： Oct. 08, 1979
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バイポーラトランジスタとより競争性を持つハイパワーのMOSFET素子を提供する。【構成】 互いに平行な第1の面及び第2の面を有する半導体材料のウエハ(120)が第1の導電型の主ボディ部(121)を有する。主ボディ部(121)は、第1の導電型とは反対の第2の導電型を有し、第1の面から主ボディ部内に対称に間隔を有する多角形状のベース領域(122,123)と、互いに隣り合うベース領域の間にて第1の面から第2の面に向かって伸び、1×1012乃至1×1014原子/cm2のリン原子の注入量に相当する導電率を有する共通導電領域(128)と、ベース領域の第1の面における周縁の内側にて第1の面から上記ベース領域内に配置されてなる第1導電型の多角形のリング形状のソース領域(126,127)と、該ソース領域の外周エッジとベース領域の上記周縁との間のチャンネル領域(160〜164)とが形成される。

Claim (excerpt)：

第1の面及び該第1の面に平行な第2の面を有するとともに第1の導電型の主ボディ部を有し、該主ボディ部の表面が上記第1の面を構成してなる半導体材料のウエハと、上記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有し、ウエハの上記第1の面から上記主ボディ部内に対称に間隔をおいて配置されてなる多角形状を有するベース領域と、互いに隣り合うベース領域の間にて上記第1の面から第2の面に向かって伸び、1×1012乃至1×1014原子/cm2のリン原子の注入量に相当する導電率を有する共通導電領域と、ベース領域の上記第1の面における周縁の内側にて上記第1の面から上記ベース領域内に配置されてなり、上記第1導電型を有する材料からなる多角形のリング形状を有するソース領域と、該ソース領域の外周エッジとベース領域の上記周縁との間に形成され、上記第1の導電型のチャンネルが形成されるチャンネル領域と、上記第1の面にて上記共通導電領域及びチャンネル領域上に伸びるゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層の上に形成されたゲート電極と、上記各ソース領域及びそれらのベース領域と接続されたソース電極と、上記共通導電領域に結合されるドレイン電極と、を備えたことを特徴とするMOSFET素子。