Pat

J-GLOBAL ID：200903040399506317

露光装置とその倍率補正方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 川上 研一 ,  南 孝宜
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994138923
Publication number (International publication number)：1996008165
Application date： Jun. 21, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路素子等の半導体装置の製造に用いられる露光装置とそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、縮小倍率の補正が容易で重ね合わせ精度の向上を可能にする露光装置と半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 ウェーハ6を搭載しXY方向に移動するウェーハステージ2とレチクル4を支承するレチクルステージ5の他に、縮小投影レンズ1を透過したウェーハ6、またはウェーハステージ2上の基準マーク24の像と、レチクル4上に設けられた照合マーク41とを同一視野内に取込み、画像を処理することによってマーク間の位置ずれ量を検出可能なマーク照合手段7を具えてなるように構成する。

Claim (excerpt)：

縮小投影レンズ(1) の下方に位置しウェーハ(6) を搭載してXY方向に移動可能なウェーハステージ(2) と、該縮小投影レンズ(1) の上部と光源(3) との間に位置しレチクル(4) を支承するレチクルステージ(5) の他に、該縮小投影レンズ(1) を透過した該ウェーハ(6) 、または該ウェーハステージ(2) 上の基準マーク(24)の像と、該レチクル(4) 上に設けられた照合マーク(41)とを同一視野内に取込み、画像を処理することによって、該マーク間の位置ずれ量を検出可能なマーク照合手段(7) を具えてなることを特徴とする露光装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00