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J-GLOBAL ID:200903040402354990
静電チャックとそれを用いた試料処理方法及び装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997254711
Publication number (International publication number):1998150100
Application date: Sep. 19, 1997
Publication date: Jun. 02, 1998
Summary:
【要約】【課題】残留吸着力の非常に少ない静電チャックを得る。【解決手段】極性の異なる一対の電極を有し、電極間に直流電圧を印加して、電極上面に設けられた誘電体膜上に試料を静電的に吸着保持する静電チャックにおいて、電極に印加した直流電圧の供給停止直前の、誘電体膜の吸着部に蓄えられた電荷量を実質的に同一にする。これにより、直流電圧の供給停止後の誘電体膜の吸着部に蓄えられた電荷を、異なる極性の電荷のバランスによって消滅させる。
Claim (excerpt):
極性の異なる一対の電極を有し、前記電極間に直流電圧を印加して、前記電極上面に設けられた誘電体膜上に試料を静電的に吸着保持する静電チャックにおいて、前記電極に印加した直流電圧の供給停止直前の、前記誘電体膜の吸着部に蓄えられた電荷量を実質的に同一にしたことを特徴とする静電チャック。
IPC (3):
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, H02N 13/00
FI (3):
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
, H02N 13/00 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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静電チャック及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-162412
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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プラズマ処理方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-109813
Applicant:日電アネルバ株式会社
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特開平1-312847
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半導体装置の製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-301917
Applicant:富士通株式会社
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