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J-GLOBAL ID：200903040402880543
窒化シリコンのエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995198311
Publication number (International publication number)：1996064574
Application date： Aug. 03, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【課題】 より高い初期のエッチング選択性を有する窒化シリコンのエッチング方法を提供する。【構成】 リン酸、硝酸およびフッ化水素酸を有し、また酸化シリコンに対して窒化シリコンまたはシリコンを選択的に取り除くために使用されるエッチング浴は、初期の浴にシリコンが加えられたときに初期の選択性が増大される。シリコンは、ヘキサフルオロケイ酸とアンモニアフルオロケイ酸塩のような溶性シリコン化合物の形で加えられる。
Claim (excerpt)：
酸化シリコン面を形成する工程と、前記酸化シリコン面上にストラクチャを形成する工程とからなり、前記ストラクチャは少なくとも1つの層からなり、前記層はシリコンと窒化シリコンからなる群から選ばれた材料からなり、さらに、リン酸、フッ化水素酸、および硝酸からなるエッチング浴内でのエッチングにより前記酸化シリコンに対して前記ストラクチャを選択的に取り除く工程と、前記取り除きの前に前記浴に溶性シリコンを加える工程とからなることを特徴とする集積回路の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/306
, C23F 1/30
, C30B 29/38
, C30B 33/10
