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J-GLOBAL ID：200903040404646793

ゲートが保護されたガスセンサー、センサーの形成法、および検出法

Inventor： エドワード・ブリテン・ストークス ,  ジョン・ユペング・ギ
Applicant, Patent owner： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Agent (1)： 松本 研一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999239114
Publication number (International publication number)：2001074690
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 腐食性環境、水および異物からの保護を含んだセンサーを提供すること。【解決手段】 ガスセンサー1はガス状環境内の少なくとも1種の指定されたガスの存在を測定する。ガスセンサーは半導体基体10、この半導体基体の上に配置された薄い絶縁体層20、この薄い絶縁体層の上に配置された触媒金属ゲート層30、およびこの触媒金属ゲートの上に配置された化学的に変性された保護層40を含む。この化学的に変性された保護層は腐食性ガスからおよび異物および水の少なくとも1種からの干渉からセンサーを保護する物質を含んでおり、センサーの表面化学的性質および表面物理的性質の少なくとも1つを変化させ、そして指定されたガスのみを通過させる。

Claim (excerpt)：

半導体基体、該半導体基体の上に配置された絶縁体層、該絶縁体層の上に配置された触媒金属ゲート層、および該触媒金属ゲートの上に配置された保護層を含んでなり、前記保護層が腐食性ガスからの保護および異物および水の少なくとも1種からの干渉からの保護の一つを提供する物質を含んでおり、この保護層がセンサーの表面化学的性質および表面物理的性質の少なくとも1つを変化させ、指定されたガスの前記触媒金属ゲート層との相互作用を許容し、そして前記指定されたガス以外のガス、水および異物の少なくとも1種の通過を減少する、ガスの検出のために設計されたセンサー。

FI (2)：

G01N 27/30 301 F ,  G01N 27/30 301 V