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J-GLOBAL ID：200903040409244553
面位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234099
Publication number (International publication number)：1995066120
Application date： Aug. 26, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ウエハ面の光軸方向の面位置情報を検出し、ウエハのパターン領域を投影レンズの許容焦点深度内に位置させ高密度の半導体素子の製造が可能な面位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 被検面上の複数位置に複数の光束を斜方向から照射する光照射手段と該被検面で反射した複数の光束を受光素子面に入射させ、該受光素子面上への該複数の光束の入射位置情報を検出して該被検面の面位置情報を求める検出手段とを有し、該光照射手段は該複数の光束の該被検面上への入射位置を相似的に可変とする第1可変機構を有しており、該検出手段は該複数の光束の該受光素子面上への入射位置を相対的に可変とする第2可変機構を有していること。
Claim (excerpt)：
被検面上の複数位置に複数の光束を斜方向から照射する光照射手段と該被検面で反射した複数の光束を受光素子面に入射させ、該受光素子面上への該複数の光束の入射位置情報を検出して該被検面の面位置情報を求める検出手段とを有した面位置検出装置において、該光照射手段は該複数の光束の該被検面上への入射位置を相似的に可変とする第1可変機構を有しており、該検出手段は該複数の光束の該受光素子面上への入射位置を相対的に可変とする第2可変機構を有していることを特徴とする面位置検出装置。
IPC (4)：
H01L 21/027
, G01B 11/00
, G01C 3/06
, G03F 9/00
