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J-GLOBAL ID：200903040413521502
光学マスク加工方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995303117
Publication number (International publication number)：1996227142
Application date： Nov. 22, 1988
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：
【要約】【課題】 光学マスク上に形成された複雑で、かつ微細なパターンを高い精度で転写可能な光学マスクを製造する。【解決手段】 マスク基板2上に形成された第1光透過領域および第2光透過領域を透過した光の位相差を用いて半導体ウエハ上に所定の回路パターンを転写するマスク1bの製造方法であって、その位相差を生じさせるための位相シフト溝7aを加工制御の容易なイオンビームによって形成する。
Claim (excerpt)：
主面を有するマスク基板と、上記マスク基板の上記主面に設置された金属層よりなる光遮蔽領域、第1光透過領域及び上記第1光透過領域に接するか近接して設置された、その透過光の位相が上記第1光透過領域を透過した透過光の位相と比較して反転するようにした第2光透過領域を包含する回路パターンとを有し、上記回路パターンを縮小投影露光装置により所定の波長を有する露光光で露光して集積回路を形成すべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に上記第1及び第2光透過領域を透過した各々の透過光間の相互干渉により上記回路パターンの鮮明な実像を結像することによって上記半導体ウエハ上に上記マスク基板上の回路パターンを上記フォトレジスト膜のパターンとして転写する位相シフト縮小投影露光のための光学マスク加工方法であって、上記マスク基板の上記主面から所定の箇所にイオンビームを作用させることでもって上記主面に平坦な底面を有する凹部を形成する工程を具備することを特徴とする光学マスク加工方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
