Pat

J-GLOBAL ID：200903040419846950

半導体装置の製造装置

Inventor： 前田 和夫 ,  大平 浩一 ,  千野 博 ,  ジェームス・ノーレス ,  アレン・マクノートン
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体プロセス研究所 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  キヤノン販売株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320505
Publication number (International publication number)：1994168877
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、CVD法によりウエハ上に膜形成を行うための半導体装置の製造方法に関し、簡単な装置で、かつ手間をかけずに、ガス配管の温度を所定の温度に均一性良く保持することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】加熱によりソースを気化して反応ガスを供給する反応ガス供給装置と、ウエハ載置面を具備するウエハ保持具21と、前記ウエハ載置面と対応するように、かつ前記うえは保持具21と分離して設けられ、反応ガスを前記ウエハ載置面に放出するガス分散具30と、前記反応ガス供給装置と前記ガス分散具30とを接続し、反応ガスを前記反応ガス供給装置から前記ガス分散具30に送るガス配管2a〜2iとを有する半導体装置の製造装置であって、前記ガス配管2a〜2iの外壁はヒートパイプ1により被覆されていることを含み構成する。

Claim (excerpt)：

加熱によりソースを気化して反応ガスを供給する反応ガス供給装置と、ウエハ載置面を具備するウエハ保持具と、前記ウエハ載置面と対向するように、かつ前記ウエハ保持具と分離して設けられ、反応ガスを前記ウエハ載置面に放出するガス分散具と、前記反応ガス供給装置と前記ガス分散具とを接続し、反応ガスを前記反応ガス供給装置から前記ガス分散具に送るガス配管とを有する半導体装置の製造装置であって、前記ガス配管の外壁はヒートパイプにより被覆されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特公平6-069034