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J-GLOBAL ID：200903040422279480

n型窒化物半導体の電極及び前記電極を有する半導体素子並びにその製造方法

Inventor： 竹内 邦生 ,  林 伸彦 ,  野村 康彦 ,  冨永 浩司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997190947
Publication number (International publication number)：1999040852
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高温の熱処理を不要にし、オーミック接触が得られるn型窒化物半導体の電極及びこの電極を有する半導体素子並びにその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明のn型窒化ガリウム系半導体の電極は、n型窒化ガリウム系半導体2上にアルミニウム層を設け、その上にシリコン層またはニッケル層の少なくともいずれか一方を介在させて金層を積層させた多層膜からなる。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体上にアルミニウム層を設け、その上にシリコン層またはニッケル層の少なくともいずれか一方を介在させて金層を積層したn型窒化物半導体の電極。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• オーミック電極およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-192818   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-148351   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所