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J-GLOBAL ID：200903040430339092

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 長沢 秀治 ,  周藤 祥司 ,  豆野 和延 ,  久保 博稔
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996014549
Publication number (International publication number)：1996306787
Application date： Jan. 30, 1996
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 層間SOG膜に含まれる水分の影響で下層配線が劣化することを防止し、配線としての信頼性を向上させること。【解決手段】 下層金属配線5に柱状の突起部6を形成し、下層金属配線5及び突起部6の周囲をシリコン酸化膜7で覆い、下層金属配線5及び突起部6をSOG膜8で覆い、エッチバックにより突起部6の上面を露出させ、突起部6を介して、電気的に接続されるAl合金配線9を形成する。こうすることで、Si酸化膜7がSOG膜8に僅かに含まれる水分や水酸基を遮断するので、下層金属配線5が水分で劣化しにくくなる。

Claim (excerpt)：

配線とそれを覆う第1の絶縁膜との境界面に、前記第1の絶縁膜よりも耐水性の高い第2の絶縁膜を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-192721
  
• 特開平2-030137
  
• 特開平1-264238