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J-GLOBAL ID：200903040436616306

半導体装置の製造方法

Inventor： 長沼 健
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993342440
Publication number (International publication number)：1995169728
Application date： Dec. 14, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ゲート酸化膜の表面を削り取ることなく清浄化する。【構成】 ゲート酸化膜3の形成後、ウェハ全体を純水に浸漬し、ゲート酸化膜3の表面を清浄化する。

Claim (excerpt)：

薄膜を形成後、その薄膜の表面を純水に接触させて清浄化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 301 G