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J-GLOBAL ID：200903040447331630
分布帰還形半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221149
Publication number (International publication number)：1993048197
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 出射側端面から十分な光出力を得ることができ、かつDFBレーザの単一モード発振を損なうことなく、また、できるだけ簡単な構造およびプロセスにより、戻り光誘起雑音を低減することができるDFBレーザを提供することにある。【構成】 活性層3とガイド層4とから形成される光導波路(共振器)に回折格子を有し、かつこの回折格子の位相が途中で不連続部9となった構造をもつDFBレーザであって、出射端面に誘電体膜10を被覆することによって、端面の反射率を変え、さらに回折格子の位相が回折格子の凹凸の周期の2分1だけシフトするうよな位相の不連続部分の位置、および回折格子による光の結合定数κと共振器長Lとの積κLの大きさを最適化することによって、戻り光誘起雑音の低減を図ったDFBレーザである。
Claim (excerpt)：
活性層とガイド層とから形成される光導波路(共振器)に回折格子を有し、かつこの回折格子の位相が途中で不連続になった構造をもつ分布帰還形半導体レーザにおいて、出射側端面には無反射(AR)コーティングを施し、その反対側にあたる後方端面はへき開したままの状態で、かつ回折格子の位相の不連続部分で、位相が回折格子の凹凸の周期の2分の1(共振器内を伝搬する光の波長の4分の1)だけシフトしていて、後方端面から不連続部分までの長さをLs 、レーザの共振器長をLとし、0.2 ≦Ls /L≦0.4 となる位置に不連続部分を設け、かつ回折格子によって、一方向に進行する光が反射され、反対方向に進行する光に変わる、単位長さあたりの割合を結合定数κとし、結合定数κと共振器長Lとの積κLが、2≦κL≦4としたことを特徴とする分布帰還形半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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