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J-GLOBAL ID：200903040447448383
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995212470
Publication number (International publication number)：1997045724
Application date： Jul. 28, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 高集積化する半導体装置において、より一層の高密度化、小型化を図り、且つ性能を維持した半導体装置を得る。【解決手段】 半導体基板6上に、各半導体素子の下部パッド部11間を結ぶ金属配線層4と、絶縁膜層5とが順に積層されており、かつ絶縁膜層5には下部パッド部11に対応した部分に窓あけがされ、さらに絶縁膜層5上に下部パッド11と導通する上部ボンディングパッド部8が形成されており、半導体装置10の電極部が、金属配線層4と同じ層に形成された下部パッド部11と、金属配線層4上の絶縁膜層12の上面に形成された上部ボンディングパッド部8とから成り、絶縁膜層12上には、上部ボンディングパッド部8のみが形成されている半導体装置。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、各半導体素子の下部パッド部間を結ぶ金属配線層と、絶縁膜層とが順に積層されており、かつ該絶縁膜層には該下部パッド部に対応した部分に窓あけがされ、さらに該絶縁膜層上に該下部パッド部と導通する上部ボンディングパッド部が形成されており、半導体装置の電極部が、該金属配線層と同じ層に形成された該下部パッド部と、該金属配線層上の該絶縁膜層の上面に形成された該上部ボンディングパッド部とから成り、該絶縁膜層上には、該上部ボンディングパッド部のみが形成されていることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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