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J-GLOBAL ID：200903040456651701

半導体ディスク装置

Inventor： 福本 克巳
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052815
Publication number (International publication number)：1994124175
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【構成】 フラッシュメモリ1を、書き込みと消去がそれぞれ独立して実行できるように2群に分割すると共に、2つのバッファメモリ4,5を設けた。【効果】 外部からバッファメモリへのデータ転送と、バッファメモリからフラッシュメモリへのデータ転送と、フラッシュメモリの消去とを同時に実行することができるので、ハードディスク装置と同等又はそれ以上の書き込み速度を得ることができるようになる。

Claim (excerpt)：

書き込みと消去をそれぞれ独立して実行できる2群以上のフラッシュメモリと、該2群以上のフラッシュメモリの最小消去単位以上の容量を有するブロックを有するバッファメモリと、該バッファメモリの上記ブロックのデータを読みだし、上記2群以上のフラッシュメモリの1つの群のいずれかのブロックに上記データを書き込む動作と、上記2群以上のフラッシュメモリの他の群のいずれかのブロックのデータを消去する動作とを同時に実行させる制御部とを備えてなることを特徴とする半導体ディスク装置。