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J-GLOBAL ID：200903040465804375

シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを備える半導体構造

Inventor： ジュン・ワン ,  ウィリアム・ジェイ・ウームス ,  ジェラルド・アレン・ホールマーク
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000065098
Publication number (International publication number)：2000294553
Application date： Mar. 09, 2000
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【解決課題】 シリコンに対する薄い安定的な結晶性インターフェースを提供すること。【解決手段】 本発明による半導体構造は、シリコン基板(10)、1以上の単結晶酸化物層(26)、およびシリコン基板と1以上の単結晶酸化物層との間のインターフェース(14)を備える。インターフェースはシリコンの格子定数に適合する結晶材料の原子層より成る。このインターフェースはXSiO2(Xは金属)の組成を有し、シリコン、酸素および金属より成る。

Claim (excerpt)：

シリコン基板;1以上の単結晶酸化物層;および前記シリコン基板と前記1以上の単結晶酸化物層との間のインターフェースであって、前記インターフェースはシリコンの格子定数に適合する結晶材料の原子層より成り、前記結晶材料はシリコン、酸素および金属より成るところのインターフェース;を備えることを特徴とする半導体構造。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/203 M ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651