半導体装置及び半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008042587
Publication number (International publication number)：2008244460
Application date： Feb. 25, 2008
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化されたメモリ素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に第1の半導体膜と、第2の半導体膜を形成し、第1の半導体膜及び第2の半導体膜を覆って第1の絶縁膜を形成し、第1の半導体膜及び第2の半導体膜上に、第1の絶縁膜を介してそれぞれ第1の導電膜及び第2の導電膜を形成し、第1の導電膜を覆って第2の絶縁膜を形成し、第1の半導体膜上に設けられた第1の導電膜上に第2の絶縁膜を介して第3の導電膜を選択的に形成し、第1の半導体膜に第3の導電膜をマスクとして不純物元素を導入し、第2の半導体膜に第2の導電膜を通して不純物元素を導入する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に第1の半導体膜と、第2の半導体膜を形成し、前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜を覆って第1の絶縁膜を形成し、前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜上に、前記第1の絶縁膜を介してそれぞれ第1の導電膜及び第2の導電膜を形成し、前記第1の導電膜を覆って第2の絶縁膜を形成し、前記第1の半導体膜上に設けられた前記第1の導電膜上に前記第2の絶縁膜を介して第3の導電膜を選択的に形成し、前記第1の半導体膜に前記第3の導電膜をマスクとして不純物元素を導入し、前記第2の半導体膜に前記第2の導電膜を通して前記不純物元素を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (10)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786 , H01L 27/115 , H01L 27/10 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/823 , H01L 27/06

FI (6)：

H01L29/78 371 , H01L29/78 613B , H01L27/10 434 , H01L27/10 481 , H01L27/04 C , H01L27/06 102A

F-Term (141)：

5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA23 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB03 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F048BF17 , 5F048BG07 , 5F083EP02 , 5F083EP04 , 5F083EP23 , 5F083EP27 , 5F083EP43 , 5F083EP44 , 5F083EP54 , 5F083EP56 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083GA09 , 5F083GA25 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR42 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR52 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA05 , 5F083ZA06 , 5F083ZA07 , 5F083ZA09 , 5F101BA19 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD07 , 5F101BD30 , 5F101BH08 , 5F101BH21 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110BB08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE27 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-002622 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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