磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気再生装置、及び磁性積層体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000286561
Publication number (International publication number)：2001160640
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】安価で高性能の磁気抵抗効果素子を提供することが可能である。また、薄膜化の素子を提供することができ、狭ギャップを要する磁気再生ヘッド、さらにハードディスクドライブ等の磁気再生システムに好適である。【解決手段】強磁性層の磁化を90度方向に結合する中間層35をピン層33、37間に挿入することにより、フリー層41を反強磁性体43で単磁区化するための熱処理と、ピン層の磁化を固着するための熱処理を同時に行う。これにより、フリー層41に接する反強磁性層43と、ピン層33に接する反強磁性層31のブロッキング温度に差が必要なくなるため、高交換結合磁場、高ブロッキング温度を有する反強磁性層を選択できる。また、交換結合磁場の分散に対する許容範囲が広がるため、反強磁性層の薄膜化が実現でき、狭ギャップを要する磁気再生ヘッドに適用できる。

Claim (excerpt)：

第1方向の磁化を備える第1の強磁性層と、前記第1の強磁性層と積層形成された磁化結合層と、前記磁化結合層を介して前記第1の強磁性層と積層形成され、前記磁化結合層により前記第1の強磁性層と磁化結合されて前記第1方向と略直交方向の磁化を備える第2の強磁性層と、中間非磁性層と、前記中間非磁性層を介して前記第2の強磁性層と積層形成され、外部磁場がゼロの状態で第1方向と略同方向の磁化を備える第3の強磁性層とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/20 , H01F 10/32

FI (5)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/20 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-325746 Applicant：松下電器産業株式会社

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