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J-GLOBAL ID：200903040482130736
面発光型半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
牛久 健司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265088
Publication number (International publication number)：1999087783
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【目的】 ビーム径が小さくとも高レベルの出射光を出力する。【構成】 活性層23を含む複数の半導体層が積層されてなる面発光半導体素子において,活性層23および出射面24aを覆うカバー27を設ける。このカバー27には,光を外部に出射するための窓28ならびに出射面24aからの出射光および活性層23からの出射光のそれぞれを窓28に導くための反射面が形成されている。出射面から直接窓に入射し外部に出射される光に加えて,カバー27の反射面において反射した光も窓28から外部に出射する。窓28の径を小さくしても窓28から出射される光の量は多くなり,高レベルの出射光を得る。
Claim (excerpt)：
活性層を含む複数の半導体層が積層されてなる面発光型半導体素子において,発光面を覆うカバーが設けられ,上記カバーには光を外部に出射するための窓ならびに上記発光面からの出射光を上記窓に導くための反射面が形成されている,面発光型半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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