Pat
J-GLOBAL ID：200903040485226548
半導体製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993175738
Publication number (International publication number)：1995029898
Application date： Jul. 15, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、低温処理でありながら極めて高い絶縁特性を有する酸化膜を形成することを可能とする高特性半導体の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸化膜を形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、該酸化膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸化膜を形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、該酸化膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/31
, C23C 14/10
, C30B 25/14
, H01L 21/316
