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J-GLOBAL ID：200903040488073742

遺伝子検出電界効果デバイスおよびこれを用いた遺伝子多型解析方法

Inventor：
宮原 裕二

About 宮原 裕二

, 
坂田 利弥

About 坂田 利弥


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004026821
Publication number (International publication number)：2005218310
Application date： Feb. 03, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：
【課題】 高感度、かつ、高精度に遺伝子の検出解析が可能であり、しかも、遺伝子多型解析システムを従来よりも小型でコストをも抑えることのできる、新しい遺伝子検出電界効果デバイスおよびこれを用いた遺伝子多型解析方法を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁膜体(2)、半導体基板(3)および参照電極(4)が備えられている遺伝子解析電界効果デバイスであって、以下の構成:(a)絶縁膜体(2)は、その一方の面側に核酸プローブ(5)が固定化されているとともに、少なくとも1種類の検出解析の目的遺伝子(601)が含まれる試料溶液(6)に接触されていること;(b)半導体基板(3)は、前記絶縁膜体(2)の他方の面側に当接設置されていること;および(c)参照電極(4)は、前記試料溶液(6)中に備えられていること;を含んでなることを特徴とする。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
絶縁膜体、半導体基板および参照電極が備えられている遺伝子解析電界効果デバイスであって、以下の構成: (a)絶縁膜体は、その一方の面側に核酸プローブが固定化されているとともに、少なくとも1種類の目的遺伝子が含まれる試料溶液に接触されていること; (b)半導体基板は、前記絶縁膜体の他方の面側に当接設置されていること;および (c)参照電極は、前記試料溶液中に備えられていること; を含んでなることを特徴とする遺伝子検出電界効果デバイス。
IPC (6)：
C12N15/09 ,  C12M1/00 ,  C12Q1/68 ,  G01N27/414 ,  G01N27/416 ,  G01N33/53
FI (10)：
C12N15/00 A ,  C12M1/00 A ,  C12Q1/68 A ,  G01N33/53 M ,  C12N15/00 F ,  G01N27/46 341M ,  G01N27/30 301E ,  G01N27/30 301V ,  G01N27/30 301W ,  G01N27/46 336M
F-Term (20)：
4B024AA11 ,  4B024CA04 ,  4B024CA09 ,  4B024HA14 ,  4B024HA19 ,  4B029AA21 ,  4B029AA23 ,  4B029BB20 ,  4B029FA15 ,  4B063QA12 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR55 ,  4B063QR62 ,  4B063QR82 ,  4B063QS25 ,  4B063QS34 ,  4B063QS39 ,  4B063QX05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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