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J-GLOBAL ID：200903040492114704
SiN膜形成プラスチック基板およびそれを使用したMIM素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992350693
Publication number (International publication number)：1994175117
Application date： Dec. 04, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、軽量、低コスト、膜ハガレ、クラックあるいは基板カールのないプラスチック基板(特に大面積プラスチック基板)およびそれを利用したMIM素子ならびに液晶表示装置の提供にある。【構成】 表面保護膜として、プラズマCVD法により形成したSiN膜を少なくとも片面に有するプラスチック基板において、SiN膜中のH含有率が2×1022cm-3以下であることを特徴とするプラスチック基板およびそれを利用したMIM素子ならびに液晶表示装置。
Claim (excerpt)：
表面保護膜として、プラズマCVD法により形成したSiN膜を少なくとも片面に有するプラスチック基板において、SiN膜中のH含有率が2×1022cm-3以下であることを特徴とするプラスチック基板。
IPC (3)：
G02F 1/1333 500
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 510
