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J-GLOBAL ID：200903040494992776

絶縁ゲート半導体デバイスとその製造方法

Inventor： ラクシュミカン・マミレット
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996038898
Publication number (International publication number)：1996241987
Application date： Jan. 31, 1996
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】 絶縁ゲート半導体デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁ゲート半導体デバイス10は、傾斜ドーパント分布を有するバッファ層13を有して形成される。傾斜ドーパント分布は、デバイス10の逆阻止電圧を改良する一方で、スイッチング速度を維持する。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲート半導体デバイスであって:第1導電形の半導体層(11);前記第1導電形の半導体層(11)上に配置された傾斜ドーパント分布を有する第2導電形のバッファ層(13);前記バッファ層(13)上に配置された前記第2導電形の半導体層(14);前記第2導電形の半導体層(14)内に配置された前記第1導電形のドープ領域(16);および前記第1導電形のドープ領域(16)の一部の中に配置された前記第2導電形のドープ領域(17);によって構成されることを特徴とする絶縁ゲート半導体デバイス。