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J-GLOBAL ID：200903040495017963

ホウ素・炭素・窒素ナノチューブとその製造方法

Inventor： 板東 義雄 ,  レンチィ・マ ,  佐藤 忠夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002331409
Publication number (International publication number)：2004161571
Application date： Nov. 14, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】有用な特性と安定した物性を有するホウ素・炭素・窒素を構成元素とするナノチューブを安価に大量に製造する。【解決手段】窒素ガスを通過させた硝酸第二鉄水溶液を温度1300°C〜1500°Cの温度域で流動しているカーボンブラック中に流入し、発生した一酸化炭素ガスを垂直式誘導炉に導入し、B4N3O2Hを1600°C〜1800°Cの温度域で分解させて気体状の酸化ホウ素を生成させ、引き続き、窒素及び一酸化炭素の雰囲気中において硝酸第二鉄を触媒として還元させ、ナノチューブの長さ方向に構成元素比率が異なる若しくは中心から半径方向に構成元素比率の異なる層が積層しているホウ素・炭素・窒素ナノチューブを製造する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

構成元素がホウ素、炭素及び窒素であるナノチューブであり、ナノチューブの長さ方向に構成元素比率が異なっていることを特徴とするホウ素・炭素・窒素ナノチューブ。

IPC (1)：

C01B21/082

FI (1)：

C01B21/082 K