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J-GLOBAL ID：200903040496289967
クラスタ分子薄膜成長方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056267
Publication number (International publication number)：1994272026
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 27, 1994
Summary：
【要約】【目的】金属、半導体又は炭素のクラスタ分子線の改良された薄膜成長方法及び装置を提供することにある。【構成】微粒子原料と不活性ガスの混相流を生成室100のプラズマトーチ117へ供給し、高周波誘導プラズマ法により生成したクラスタ分子114を補集体116に付着させる。補集体116はイオン化室180に搬送し、ヒータ123bで加熱しクラスタ分子蒸気114を発生し、イオン化、加速して分析管191に送る。クラスタ分子イオン114bは分析管191内で質量数によって異なる軌道を描いて飛行し、スキーマ192を通過するクラスタ分子114cのみが基板124に照射され薄膜125を形成する。【効果】高純度かつ質量数のそろったクラスタ分子線を効率的に生成し、必要に応じて他の原料を供給する分子線源と併用することにより、多様な薄膜形成が可能となる。
Claim (excerpt)：
固体原料もしくは粉末原料を不活性ガス中で加熱蒸発してクラスタ分子を生成する段階と、前記生成されたクラスタ分子を捕集体に吸着、蓄積させる段階と、前記捕集体を真空雰囲気中に移送し、加熱することによりクラスタ分子線を再発生させる段階と、前記再発生させたクラスタ分子線を真空雰囲気中にて基板上に照射しクラスタ分子薄膜を成長させる成膜段階とを有して成るクラスタ分子薄膜成長方法。
IPC (3)：
C23C 14/24
, C01B 31/02 101
, H01L 49/00
