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J-GLOBAL ID：200903040518474062

絶縁膜形成方法

Inventor： 宮崎 善久 ,  橋本 毅 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991309160
Publication number (International publication number)：1993144803
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、絶縁膜をCVD法で成膜後、その絶縁膜中に存在する炭素及び水素の量を減少させ、再現性のある絶縁膜を形成することを目的とする。【構成】 反応チャンバ(1)の内部には、オゾン供給装置(2)とTEOS供給装置(3)から送られてきた原料ガスを均一に分散させるディスパージョンヘッド(5)の上部にウェハ(6)を下向きに保持するサセプタ(7)が設けられている。この装置内でオゾンと有機シランを用い、CVD法により絶縁膜を形成した後、その絶縁膜をオゾン雰囲気中で、一定時間150〜250°Cに保持し、アニール処理を行う。ここで設定される温度150〜250°Cは、絶縁膜形成後の降温途中の温度である。上記の形成方法によれば、オゾンの分解によって発生した酸素原子により、絶縁膜中の炭素及び水素の量を減少させることができる。

Claim (excerpt)：

反応装置内で化学気相成長反応を行い、基板上に絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜を、オゾン雰囲気中で一定時間、150〜250°Cに保持することを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (9)：

H01L 21/31 ,  B01J 19/00 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/56 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31