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J-GLOBAL ID：200903040551005078
マスク及びその形成方法及びこれを用いたエッチング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993223675
Publication number (International publication number)：1995078807
Application date： Sep. 08, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 電子線リソグラフィ、X線リソグラフィやSTMリソグラフィのように大がかりな装置を用いることなく、極めて簡単なプロセスにより10nm以下程度までの微細なパターンの作製を可能とする。【構成】 被エッチング材料10上の所望の位置に形成された金属薄膜15が加熱により微粒子化された構成とする。
Claim (excerpt)：
被エッチング材料上の所望の位置に形成された金属薄膜が加熱により微粒子化されて構成されることを特徴とするマスク。
IPC (2)：
H01L 21/3065
, H01L 21/20
