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J-GLOBAL ID：200903040560401326
ガス吹き出し装置及びガス混合装置及び半導体装置製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235732
Publication number (International publication number)：1996097160
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)等のアルカリ土類金属を含む酸化物薄膜を気相CVDにより成膜する際に反応ガスを基板に供給するガス吹き出し装置及びガス混合装置及びそれを用いた半導体装置製造方法に関し、比較的簡単な構成でガスを分散し、均一化できるガス吹き出し装置及びガス混合装置及び半導体装置製造方法を提供することを目的とする。【構成】 ガス供給部2とチャンバ5との間にフランジ31を配設し、チャンバ5とフランジ31との接合部分にチャンバ5とフランジ31とのシールを行なうシール部33とシール部33内周側にガスを分散するための孔部32bが形成されたガス分散部34とよりなるガス吹き出し装置32を設けてなる。
Claim (excerpt)：
ガス供給部から供給されるガスをチャンバ内に分散して供給するガス吹き出し装置において、前記チャンバと前記ガス供給部をシールするガスケット部と、前記ガスケット部の内周部分に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記チャンバ内に分散して供給するガス分散部とを有することを特徴とするガス吹き出し装置。
IPC (2)：
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