薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置とエレクトロルミネッセンス表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大前要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001288563
Publication number (International publication number)：2002190604
Application date： Sep. 21, 2001
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】閾値電圧のばらつきや、高温電圧印加試験での閾値電圧の変動などの不安定要因がなく、信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ10は、チャネル領域13aと、該チャネル領域13aの両側に形成されたソース領域13bおよびドレイン領域13cとを有する半導体薄膜13と、前記半導体薄膜13上に形成されたゲート絶縁膜14と、前記ゲート絶縁膜14上の前記チャネル領域13aに対応する位置に形成されたゲート電極15とを備え、前記半導体薄膜13と前記ゲート絶縁膜14との界面に存在する不純物元素の各々の濃度は、3×1011atoms/cm2以下であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

チャネル領域と、該チャネル領域の両側に形成されたソース領域およびドレイン領域とを有する半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記チャネル領域に対応する位置に形成されたゲート電極とを備え、基板上に形成される薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜と前記ゲート絶縁膜との界面には少なくとも1つの不純物元素が存在し、該不純物元素の各々の濃度は、3×1011atoms/cm2以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (10)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 J

F-Term (65)：

2H092JA25 , 2H092JA27 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092MA30 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 2H092PA08 , 5C094AA03 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094FB14 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052CA02 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F110AA08 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF07 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG31 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL06 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

Return to Previous Page