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J-GLOBAL ID：200903040575869944

温度補正を備えたトランスデューサー

Inventor： シアイン リー
Applicant, Patent owner： セトラ システムズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000595120
Publication number (International publication number)：2002535643
Application date： Nov. 10, 1999
Publication date： Oct. 22, 2002
Summary：

【要約】容量性圧力トランスデューサーは凹状の本体部材によって画定される、気体的に分離された小室の間に配置された伝導性のダイアフラムを含む。ダイアフラムはその周囲で、凹状本体部材の周囲のリムに封止的に固定される。ダイアフラムは本体部材の周囲のリムによって張力が掛けられた状態で保持することができる。一方の本体部材によって保持される電極組立品は伝導性のダイアフラムに向き合い、定格上の間隔だけ離れた実質的に平面の伝導性の面を確立する。容量性圧力トランスデューサーはさらに、一方の凹状本体部材の内側または外側の面及び(または)電極に堅く結合された熱補正部材を含む。熱補正部材はそれが取り付けられる凹状本体部材または電極の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を持つ。異なった熱膨張係数を持った凹状本体部材または電極と熱補正部材との組合せは熱的に誘引されるトランスデューサーの特性の変化を補正する、または対抗力として働く、熱依存性の力を発生するバイメタル動作を生ずる。

Claim (excerpt)：

中心軸の周りに拡張し、前記中心軸に実質的に垂直な第1平面に配置された周囲のリムを持ち、第1熱膨張係数を持った第1凹状本体部材; 前記第1本体部材の前記周囲のリムに堅く結合された周囲部分を持ち、それにより少なくともその一部が実質的に前記第1平面に配置され、前記第1本体部材と第1小室を形成する、電気伝導性の、振れることが可能な部分を持ったダイアフラム; 前記第1小室内に、前記第1平面から所定の距離だけ離れて、ダイアフラムの電気伝導部分に隣接し、第2熱膨張係数を持った電極;及び、 トランスデューサーの温度に誘引される特性の変化を補正するための熱的補正手段であって、前記第1凹状本体と前記電極の少なくとも1つに結合し、前記第1本体部材と前記電極の結合された少なくとも1つの熱膨張係数と異なる熱膨張係数を持った熱的補正手段、から成る、容量性圧力トランスデューサー。

F-Term (8)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD20 ,  2F055EE25 ,  2F055FF02 ,  2F055GG11 ,  2F055GG17