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J-GLOBAL ID：200903040583323039
薄膜コンデンサの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040820
Publication number (International publication number)：1993243075
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 薄膜コンデンサの絶縁基板として表面粗さの小さい、平滑な絶縁基板を活用できる製造方法を開発し小形化、軽量化、低コスト化を図った高品質の薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 板状のセラミック1上にガラスグレ-ズ2を塗布焼付して成る絶縁基板を、チップブレイクする位置のガラスグレ-ズ2を切断刃により取り除いた後、薄膜コンデンサ素子部4を形成し、その後チップブレイクするためのブレイク用溝3をレ-ザ-ビ-ムを照射して形成する。
Claim (excerpt)：
板状のセラミック上にガラスグレ-ズを塗布焼付して成る絶縁基板を、チップブレイクする位置のガラスグレ-ズを切断刃により取り除いた後、前記絶縁基板上に複数のコンデンサ素子を、誘電体層と内部電極層を交互に薄膜形成工法により積層して形成し、その後チップブレイクするためのブレイク用溝をレ-ザ-ビ-ムにより照射して形成する薄膜コンデンサの製造方法。
IPC (2)：
H01G 4/06 102
, H01G 13/00 391
