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J-GLOBAL ID：200903040584822519

低温ポリシリコンTFTの製造プロセスにおけるポリシリコン膜の形成方法

Inventor： 石川 克也
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998001949
Publication number (International publication number)：1999204794
Application date： Jan. 08, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 グレインサイズの均一化を図ることができるポリシリコン膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1の酸化膜2の上に水素含有アモルファスSi膜3を堆積し、脱水素処理のための熱処理を行い、エキシマレーザを照射してアニール処理を行いアモルファスSi膜をポリシリコン膜7に変化させ、ポリシリコン膜7にSiイオン注入により表面層をアモルファスSi化し、前記アニール処理より低パワーのエキシマレーザを照射して再度のアニール処理を行ってポリシリコン膜8を完成する。

Claim (excerpt)：

加工後に低温ポリシリコンTFTのソースとドレインおよびチャンネル部となるポリシリコン膜を形成するに際し、基板に酸化膜を堆積し、前記酸化膜の上に水素含有アモルファスSi膜を堆積し、その後に脱水素処理のための熱処理を行った前記基板をエキシマレーザを照射してアニール処理を行い前記アモルファスSi膜をポリシリコン膜に変化させ、前記ポリシリコン膜にSiイオン注入により表面層をアモルファスSi化し、前記アニール処理より低パワーのエキシマレーザを照射して再度のアニール処理を行ってポリシリコン膜を完成する低温ポリシリコンTFTの製造プロセスにおけるポリシリコン膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 Z