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J-GLOBAL ID:200903040585426102
近紫外・紫外波長帯発光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中本 宏 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996030119
Publication number (International publication number):1997202878
Application date: Jan. 25, 1996
Publication date: Aug. 05, 1997
Summary:
【要約】【課題】 近紫外、又は紫外波長帯の発光を呈する小型発光素子を提供する。【解決手段】 少なくとも正孔注入電極、電子注入電極、及びこれらの電極間に形成された発光層から構成される発光素子において、発光層がポリシランで形成されている近紫外・紫外波長帯発光素子。ポリシランの例としては、一般式-〔Si(R1 )(R2 )〕n -(式中nは1以上の整数、R1 R2 は同一又は異なり、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基又は置換アリール基を示す)で表される化合物がある。
Claim (excerpt):
少なくとも正孔注入電極、電子注入電極、及びこれらの電極間に形成された発光層から構成される発光素子において、発光層がポリシランで形成されていることを特徴とする近紫外・紫外波長帯発光素子。
IPC (2):
FI (2):
C09K 11/06 Z
, H05B 33/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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含フッ素ポリシランおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-259290
Applicant:東亞合成株式会社
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特開平3-197585
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特開平3-197584
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特開平3-126787
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光機能デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-029201
Applicant:株式会社東芝
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