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J-GLOBAL ID：200903040587918134
レーザー送受光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
西脇 民雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308257
Publication number (International publication number)：1995063854
Application date： Dec. 08, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 温度変化に拘らずアバランシェホトダイオードの増倍率の一定化を図ることのできるレーザー送受光装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係わるレーザー送受光装置は、半導体レーザーから出射されたレーザービームを送光レンズを介して検出対象物体に投射する送光系と、該検出対象物体により反射されたレーザービームを受光レンズを介して受光素子に受光する受光系とを有する。前記受光素子22はアバランシェホトダイオードからなる。このアバランシェホトダイードはその両端にバイアス電圧Vbaが印加される。そして、アバランシェホトダイードにはこのアバランシェホトダイオードの温度変化に伴う増倍率の変化を抑制するために、バイアス電圧を制御するバイアス電圧制御回路36が接続されている。
Claim (excerpt)：
半導体レーザーから出射されたレーザービームを送光レンズを介して検出対象物体に投射する送光系と、該検出対象物体により反射されたレーザービームを受光レンズを介して受光素子に受光する受光系とを有するレーザー送受光装置において、前記受光素子がアバランシェホトダイオードからなり、該アバランシェホトダイードはその両端にバイアス電圧が印加され、前記受光系には前記アバランシェホトダイオードの温度変化に伴う増倍率の変化を抑制するために、バイアス電圧を制御するバイアス電圧制御回路が接続されていることを特徴とするレーザー送受光装置。
IPC (4)：
G01S 17/10
, G01S 7/48
, H01L 31/12
, H01S 3/00
Cited by examiner (7)
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