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J-GLOBAL ID：200903040590466511

オーミック電極の製造方法及び半導体素子の製造方法

Inventor： 昌原 鎬
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998273904
Publication number (International publication number)：2000106350
Application date： Sep. 28, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、良好なオーミック電極の製造方法及び良好なオーミック電極をもつ半導体素子の製造方法を提供することが課題である。【解決手段】 半導体1上に電極用膜2を形成した後、熱処理するオーミック電極の製造方法であって、前記半導体1の前記電極用膜2側の界面領域3に該半導体1のうちの所定の構成元素を供給した後、前記熱処理をする。

Claim (excerpt)：

半導体上に電極用膜を形成した後、熱処理するオーミック電極の製造方法であって、前記半導体の前記電極用膜側の界面領域に該半導体のうちの所定の構成元素を供給した後、前記熱処理をすることを特徴とするオーミック電極の製造方法。

F-Term (13)：

4M104AA03 ,  4M104BB09 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104DD82 ,  4M104DD84 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15