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J-GLOBAL ID：200903040599363766

マイクロ波プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子部品

Inventor：
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002129079
Publication number (International publication number)：2003324094
Application date： Apr. 30, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 環状導波管の周方向に発生する表面波干渉プラズマ(SIP)の均一化を図り、高品質なマイクロ波プラズマ処理装置を提供することができるようにする。【解決手段】 H面に所定の間隔で穿孔されて設けられた放射状もしくは円弧状のスロットを有する無終端環状導波路を2層に積層した構造の無終端導波管110にマイクロ波を導入することにより、1層構造の無終端環状導波路の場合に比して、無終端環状導波路の周方向に発生する定在波をより均一にできるようにする。これにより、プラズマ処理室に均一なマイクロ波を供給することができるようになり、高品質なマイクロ波プラズマ処理装置とすることができる。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体を支持する基体支持手段と、前記プラズマ処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、前記プラズマ処理室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを含み、前記マイクロ波導入手段は、H面に所定の間隔で穿孔されて設けられたスロットを有する無終端環状導波路を2層に積層した構造を備えていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (4)：
C23C 16/511 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 101 D
F-Term (43)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030FA02 ,  4K030JA19 ,  5F004BB11 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EB03 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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