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J-GLOBAL ID：200903040622556020

誘電体磁器及びその製法並びに積層型電子部品

Inventor：
神垣 耕世

About 神垣 耕世

, 
伊東 裕見子

About 伊東 裕見子


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001234011
Publication number (International publication number)：2003048774
Application date： Aug. 01, 2001
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性、DCバイアス特性が良好な誘電体磁器及びその製法を提供し、それにより高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層型電子部品を提供する。【解決手段】Aサイトの一部がCaで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCT型結晶粒子)と、Mg、希土類元素及びZrとを含有する誘電体磁器であって、Mgと希土類元素及びZrの少なくとも一部はそれぞれBCT型結晶粒子中に固溶し、BCT型結晶粒子が、Mg、希土類元素及びZrが粒子中心よりも粒子表面側に偏在したコアシェル型構造を有するとともに、BCT型結晶粒子が0.2〜0.8μmの平均粒径を有している。
Claim (excerpt)：
Aサイトの一部がCaで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCT型結晶粒子)と、Mg、希土類元素及びZrとを含有する誘電体磁器であって、前記Mgと希土類元素及びZrの少なくとも一部はそれぞれ前記BCT型結晶粒子中に固溶し、前記BCT型結晶粒子が、前記Mg、希土類元素及びZrが粒子中心よりも粒子表面側に偏在したコアシェル型構造を有するとともに、前記BCT型結晶粒子が0.2〜0.8μmの平均粒径を有していることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (3)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358
FI (3)：
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358
F-Term (27)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA19 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA05 ,  4G031GA04 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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